টেক ডেস্কঃ ভারতের প্রতিরক্ষা গবেষণা ও উন্নয়ন সংস্থা (DRDO) দেশীয় গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN) চিপ এবং মনোলিথিক মাইক্রোওয়েভ ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (MMIC) তৈরিতে এক যুগান্তকারী সাফল্য অর্জন করেছে। এই মাইলফলক ভারতকে সামরিক ব্যবহারের জন্য উন্নত সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে সক্ষম হাতেগোনা কয়েকটি দেশের সারিতে নিয়ে এসেছে, যা আত্মনির্ভরতার পথে এক বিশাল পদক্ষেপ। মাত্র ৩.৫ x ৩ মিমি আকারের একটি ছোট GaN চিপ ৩০ ওয়াট বিদ্যুৎ সরবরাহ করতে পারে এবং প্রচলিত সিলিকন-ভিত্তিক চিপের চেয়ে ৩০০ গুণ দ্রুত গতিতে কাজ করে।
এই উচ্চ-ক্ষমতাসম্পন্ন GaN উপাদানগুলি পরবর্তী প্রজন্মের রাডার এবং ইলেকট্রনিক যুদ্ধ ব্যবস্থার জন্য অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। এটি যোগাযোগ, গোয়েন্দা, নজরদারি এবং মনুষ্যবিহীন প্ল্যাটফর্মগুলির সক্ষমতা বাড়াতে সাহায্য করবে। সলিড স্টেট ফিজিক্স ল্যাবরেটরি (SSPL) এই সাফল্যের পেছনে মূল ভূমিকা পালন করেছে। তারা ৪ ইঞ্চি সিলিকন কার্বাইড (SiC) ওয়েফার তৈরির প্রক্রিয়া উদ্ভাবন করেছে, যা এই শক্তিশালী GaN হাই ইলেকট্রন-মোবিলিটি ট্রানজিস্টর (HEMT) এর ভিত্তি। হায়দ্রাবাদের GAETEC-এ ইতিমধ্যেই সীমিত উৎপাদন শুরু হয়েছে, যা কৌশলগত সরবরাহ নিশ্চিত করবে।
প্রতিরক্ষা মন্ত্রক জোর দিয়েছে যে GaN এবং SiC প্রযুক্তির উন্নত কার্যকারিতা, ছোট আকার এবং হালকা ওজন ভবিষ্যতের যুদ্ধ ব্যবস্থার জন্য অপরিহার্য। প্রতিরক্ষা ছাড়াও, এই বহুমুখী MMIC গুলি কৌশলগত ব্যবস্থা, মহাকাশ, 5G এবং স্যাটেলাইট যোগাযোগের ক্ষেত্রে ব্যাপক সম্ভাবনা রাখে। এই অর্জন ভারতের “আত্মনির্ভর ভারত” উদ্যোগের সাথে সঙ্গতিপূর্ণ, যা রপ্তানির বিশাল সুযোগ তৈরি করবে এবং বিদেশি সরবরাহকারীদের উপর নির্ভরতা কমাবে। Agnit Semiconductors-এর সাথে একটি চুক্তি ভারতের প্রতিরক্ষা প্রযুক্তি ভিত্তিকে শক্তিশালী করতে বেসরকারি খাতের ক্রমবর্ধমান ভূমিকার প্রমাণ।